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| Specifica | Descrizione |
|---|---|
| Codice articolo | CM200DY-24T |
| Codice alternativo | CM200DY24T |
| Produttore | Mitsubishi |
| Tipo di componente | Modulo IGBT di potenza |
| Configurazione | Doppio switch in configurazione half-bridge |
| Struttura | Tipo isolato con base piatta |
| Applicazione tipica | Controllo motori AC, azionamenti motion/servo e alimentatori di potenza |
| Corrente collettore nominale | 200 A |
| Tensione collettore-emettitore | 1200 V |
| Corrente impulsiva ripetitiva | 400 A |
| Tensione gate-emettitore | ±20 V |
| Tensione di isolamento | 4000 V AC RMS per 1 minuto, tra terminali e piastra base |
| Temperatura massima di giunzione | 175 °C per eventi istantanei di sovraccarico |
| Temperatura operativa di giunzione | Da -40 °C a +150 °C |
| Temperatura di stoccaggio | Da -40 °C a +150 °C |
| Dissipazione totale di potenza | 2380 W con temperatura case di 25 °C |
| Tensione di alimentazione consigliata | 600 V tipica, 850 V massima, applicata tra i terminali C1 ed E2 |
| Tensione di pilotaggio gate consigliata | 15 V tipica, intervallo consigliato da 13,5 V a 16,5 V |
| Resistenza gate esterna consigliata | Da 1,2 Ω a 12 Ω per switch |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore | 1,65 V tipica e 1,95 V massima a 200 A, VGE 15 V e Tvj 25 °C |
| Tensione soglia gate-emettitore | 6,0 V tipica, intervallo da 5,4 V a 6,6 V |
| Capacità di ingresso | 45,6 nF massima |
| Capacità di uscita | 1,6 nF massima |
| Capacità di trasferimento inversa | 0,6 nF massima |
| Carica di gate | 1,4 µC tipica a VCC 600 V, IC 200 A e VGE 15 V |
| Tempo di ritardo all’accensione | 500 ns massimo |
| Tempo di salita | 150 ns massimo |
| Tempo di ritardo allo spegnimento | 500 ns massimo |
| Tempo di discesa | 300 ns massimo |
| Diodo integrato | Diodo free-wheeling anti-parallelo per ciascuno switch |
| Corrente emettitore del diodo | 200 A DC |
| Corrente impulsiva ripetitiva del diodo | 400 A |
| Tensione emettitore-collettore del diodo | 1,75 V tipica e 2,15 V massima a 200 A e Tvj 25 °C |
| Tempo di recupero inverso | 400 ns massimo |
| Energia di commutazione in accensione | 14,8 mJ tipica per impulso |
| Energia di commutazione in spegnimento | 22,8 mJ tipica per impulso |
| Energia di recupero inverso | 14,6 mJ tipica per impulso |
| Resistenza termica giunzione-case IGBT | 63 K/kW massima per IGBT inverter |
| Resistenza termica giunzione-case diodo | 114 K/kW massima per diodo free-wheeling |
| Coppia di serraggio terminali principali | Da 2,5 N·m a 3,5 N·m con vite M5 |
| Coppia di fissaggio al dissipatore | Da 3,5 N·m a 4,5 N·m con vite M6 |
| Distanza di creepage | 18 mm tra terminali; 21,1 mm tra terminale e piastra base |
| Distanza in aria | 9,6 mm tra terminali; 16,7 mm tra terminale e piastra base |
| Massa | 155 g tipica |
| Conformità | Conforme RoHS e riconosciuto UL secondo UL1557, file E323585 |
| Caratteristiche costruttive | Terminali con linguette nichelate e base isolata per impieghi di commutazione ad alta potenza |
È un modulo IGBT a doppio interruttore in configurazione half-bridge, progettato per commutazione di potenza elevata. Viene tipicamente impiegato in azionamenti per motori AC, controllo motion/servo, alimentatori e convertitori di potenza industriali.
Il CM200DY-24T ha una corrente di collettore nominale di 200 A e una tensione collettore-emettitore di 1200 V. La temperatura massima istantanea di giunzione è 175 °C, mentre il funzionamento continuo in commutazione è indicato nell’intervallo da -40 °C a +150 °C.
Il modulo utilizza una configurazione dual switch half-bridge con due IGBT e relativi diodi free-wheeling in antiparallelo. I terminali principali includono C1, C2E1 ed E2, con terminali gate ed emitter sense separati per ciascun interruttore.
La tensione di pilotaggio consigliata tra gate ed emitter sense è tipicamente 15 V. L’intervallo operativo raccomandato è da 13,5 V a 16,5 V, mentre il limite massimo assoluto gate-emettitore è ±20 V.
La tensione di alimentazione DC consigliata tra i terminali C1 ed E2 è tipicamente 600 V, con limite massimo raccomandato di 850 V secondo le condizioni operative indicate per il modulo.
La resistenza di gate esterna raccomandata per ciascun interruttore è compresa tra 1,2 Ω e 12 Ω. La scelta del valore influenza tempi di commutazione, perdite dinamiche e comportamento del circuito applicativo.
La resistenza termica massima giunzione-case è 63 K/kW per ciascun IGBT e 114 K/kW per ciascun diodo free-wheeling. Con grasso termoconduttivo applicato, la resistenza termica case-dissipatore tipica è 24 K/kW per modulo.
Per i terminali principali con vite M5, la coppia di serraggio indicata è da 2,5 a 3,5 N·m, con valore tipico di 3,0 N·m. Per il fissaggio al dissipatore con vite M6, la coppia indicata è da 3,5 a 4,5 N·m, con valore tipico di 4,0 N·m.
Sì, è un modulo di tipo isolato. L’isolamento tra terminali e piastra base è specificato a 4000 V RMS AC per 1 minuto a 60 Hz.
La distanza di creepage minima tra terminali è 18 mm, mentre tra terminali e piastra base è 21,1 mm. La distanza in aria minima tra terminali è 9,6 mm e tra terminali e piastra base è 16,7 mm.
In condizioni di prova con VCC 600 V, IC 200 A, VGE ±15 V e RG 1,2 Ω, il modulo presenta energia di accensione tipica di 14,8 mJ, energia di spegnimento tipica di 22,8 mJ ed energia di recupero inverso tipica di 14,6 mJ. I tempi massimi indicati includono 500 ns per ritardo di accensione, 150 ns per salita, 500 ns per ritardo di spegnimento e 300 ns per discesa.
Il modulo è indicato come conforme alla Direttiva RoHS 2011/65/UE e (UE) 2015/863. È inoltre riportato come UL Recognized secondo UL1557, con file E323585.
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