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| 規格 | 描述 |
|---|---|
| 製造商 | Toshiba |
| 型號 | MG75J2YS50 |
| 類型 | 絕緣柵雙極型電晶體 (IGBT) 模組 |
| 電壓 | 600 V |
| 電流 | 78 A |
| 應用 | 高功率開關應用、馬達控制 |
| 特點 | 高輸入阻抗、低飽和電壓、快速開關速度 |
| 封裝 | 單一封裝內含完整半橋電路 |
| 絕緣電壓 | 2500 V (AC 1 分鐘) |
| 工作溫度範圍 | -40 ~ 125 °C |
| 儲存溫度範圍 | -40 ~ 125 °C |
| 重量 | 約 202 克 |
| 規格 | 描述 |
|---|---|
| 描述 | Toshiba MG75J2YS50 是一款高效能的絕緣柵雙極型電晶體模組,專為高功率開關和馬達控制應用而設計。此模組具有高輸入阻抗和低飽和電壓的特性,能夠在高達 600 V 的電壓和 78 A 的電流下運行。其快速開關速度使其適合需要高效能和可靠性的應用。MG75J2YS50 的封裝設計包含完整的半橋電路,提供了優異的電氣隔離和熱管理能力,是工業自動化和電力電子系統的理想選擇。 |
這個IGBT模塊主要用於高功率開關應用和電機控制應用。
這個模塊的最大集電極-發射極電壓為600伏。
這個IGBT模塊的最大集電極電流為75安培。
這個模塊的工作溫度範圍是-40°C到125°C。
這個IGBT模塊具有高輸入阻抗、低飽和電壓和高速度等特點。
這個模塊的隔離電壓為2500伏(交流1分鐘)。
這個IGBT模塊包含一個完整的半橋卡在一個封裝中,電極與外殼隔離。
這個模塊的集電極功率耗散為390瓦(在25°C時)。
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