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Preis-Leistungsverhältnis
Preis-Leistungsverhältnis, aber auch die Lieferzeit von einem Teil welches eigentlich nicht mehr lieferbar ist, sehr gute Erfahrung. :-)
vor 1 Monat
MP6750
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Der Toshiba MP6750 ist ein GTR-Modul mit sechs integrierten Silizium-N-Kanal-IGBTs in einem gemeinsamen Gehäuse. Das Modul ist für leistungsstarke Schaltanwendungen und Motorsteuerungen ausgelegt und bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 600 V sowie einen Kollektorstrom von 15 A im DC-Betrieb. Durch die isolierten Elektroden gegenüber dem Gehäuse eignet sich der MP6750 für kompakte Leistungsbaugruppen, bei denen elektrische Trennung und zuverlässige Schaltperformance gefragt sind. Zu den zentralen Merkmalen zählen der Enhancement-Mode-Betrieb, eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von maximal 4,0 V bei 15 A sowie schnelle Schaltzeiten mit einer maximalen Fallzeit von 0,35 µs. Das Modul unterstützt eine Gate-Emitter-Spannung von ±20 V, eine Sperrschichttemperatur bis 150 °C und eine Isolationsspannung von 2500 V AC für eine Minute. Damit ist der MP6750 eine geeignete Komponente für industrielle Antriebe, Umrichter, Leistungssteuerungen und weitere elektronische Systeme mit hohem Schaltleistungsbedarf.
| Spezifikation | Beschreibung |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba |
| Teilenummer | MP6750 |
| Bauteiltyp | GTR-Modul mit Silizium-N-Kanal-IGBT |
| Modulaufbau | 6 IGBTs in einem gemeinsamen Gehäuse |
| Typische Anwendung | Hochleistungs-Schaltanwendungen und Motorsteuerungen |
| Betriebsart | Enhancement-Mode |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Emitter-Spannung | ±20 V |
| Kollektorstrom | 15 A DC, 30 A Puls für 1 ms |
| Vorwärtsstrom | 15 A DC, 30 A Puls für 1 ms |
| Kollektor-Verlustleistung | 55 W bei Tc = 25 °C |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung | Typisch 3,0 V, maximal 4,0 V bei IC = 15 A und VGE = 15 V |
| Gate-Emitter-Abschaltspannung | 3,0 bis 6,0 V bei IC = 15 mA und VCE = 5 V |
| Eingangs-Kapazität | Typisch 1000 pF bei VCE = 10 V, VGE = 0 und f = 1 MHz |
| Schaltgeschwindigkeit | Anstiegszeit maximal 0,6 µs, Abfallzeit maximal 0,35 µs |
| Einschaltzeit | Maximal 0,8 µs |
| Ausschaltzeit | Maximal 1,0 µs |
| Vorwärtsspannung der Diode | Typisch 1,7 V, maximal 2,5 V bei IF = 15 A |
| Sperrerholzeit | Maximal 0,15 µs bei IF = 15 A und di/dt = 50 A/µs |
| Isolationsspannung | 2500 V AC für 1 Minute |
| Thermischer Widerstand | Transistor maximal 2,27 °C/W, Diode maximal 3,09 °C/W |
| Betriebliche Grenztemperatur | Sperrschichttemperatur bis 150 °C |
| Lagertemperaturbereich | -40 bis 125 °C |
| Montagehinweis | Empfohlenes Schraubendrehmoment 1,5 N·m |
| Gehäusemerkmal | Elektroden sind vom Gehäuse isoliert |
| Gewicht | Ca. 44 g |
Welche Art von Bauteil ist dieses Modul?
Es handelt sich um ein Toshiba GTR-Modul mit Silizium-N-Kanal-IGBTs. Das Modul ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen und Motorsteuerungen ausgelegt.
Wie viele IGBTs sind in einem Modul integriert?
Im Modul sind sechs IGBTs in einem gemeinsamen Gehäuse integriert. Dadurch eignet sich der MP6750 für kompakte Leistungsstufen, zum Beispiel in Umrichter- oder Motorsteuerungsanwendungen.
Welche maximale Kollektor-Emitter-Spannung ist angegeben?
Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung beträgt 600 V. Dieser Wert ist ein zentraler Grenzwert bei der Auslegung der angeschlossenen Leistungselektronik.
Welche Stromwerte sind für den Kollektor angegeben?
Der angegebene DC-Kollektorstrom beträgt 15 A. Für kurze Impulse von 1 ms ist ein Kollektorstrom von 30 A spezifiziert.
Welche Gate-Emitter-Spannung darf angelegt werden?
Die maximale Gate-Emitter-Spannung ist mit ±20 V angegeben. Bei der Ansteuerung sollte dieser Grenzwert nicht überschritten werden.
Welche Sättigungsspannung ist typisch?
Die typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung beträgt 3,0 V bei 15 A Kollektorstrom und 15 V Gate-Emitter-Spannung. Der maximale angegebene Wert liegt bei 4,0 V.
Welche Schaltzeiten sind angegeben?
Das Modul ist für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt. Angegeben sind unter anderem eine maximale Anstiegszeit von 0,6 µs, eine maximale Einschaltzeit von 0,8 µs, eine maximale Fallzeit von 0,35 µs und eine maximale Ausschaltzeit von 1,0 µs.
Verfügt das Modul über eine interne Diodenfunktion?
Ja, das Datenblatt nennt eine Vorwärtsspannung der Diode von typisch 1,7 V und maximal 2,5 V bei 15 A. Die Sperrerholzeit ist mit typisch 0,08 µs und maximal 0,15 µs angegeben.
Sind die Elektroden vom Gehäuse isoliert?
Ja, die Elektroden sind laut Spezifikation vom Gehäuse isoliert. Die angegebene Isolationsspannung beträgt 2500 V AC für eine Minute.
Welche thermischen Grenzwerte sind relevant?
Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 150 °C. Der Lagertemperaturbereich ist mit -40 °C bis 125 °C angegeben. Die thermische Widerstandsangabe beträgt maximal 2,27 °C/W für den Transistor und maximal 3,09 °C/W für die Diode.
Welches Schraubendrehmoment ist für die Montage angegeben?
Das angegebene Schraubendrehmoment beträgt 1,5 N·m. Dieser Wert ist bei der mechanischen Befestigung des Moduls zu berücksichtigen.
Für welche Anwendungen ist das Modul typischerweise geeignet?
Das Modul ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen und Motorsteuerungen vorgesehen. Typische Einsatzbereiche sind Leistungselektronik, industrielle Antriebe und Steuerungen mit IGBT-Leistungsstufen.
- Leistungsstarke Schaltanwendungen in industriellen Elektroniksystemen
- Motorsteuerungen für Maschinen und Anlagen
- Antriebs- und Umrichtertechnik mit IGBT-Leistungsmodulen
- Steuerung von Drehstrommotoren in Automatisierungsumgebungen
- Leistungselektronik für Förderanlagen und Produktionslinien
- Ersatzteilbedarf in bestehenden Toshiba GTR-Modul-Anwendungen
- Schalteinheiten für industrielle Maschinensteuerungen
- Elektronische Baugruppen mit isolierten Leistungshalbleitern
- Anwendungen mit hohem Schaltvermögen und kompakter Modulbauweise
- Industrielle Systeme, die ein 6-fach-IGBT-Modul in einem Gehäuse verwenden
Dieser Inhalt wurde aus mehreren Quellen erstellt. EU Automation übernimmt keine Haftung für die Richtigkeit dieser Informationen. Wenden Sie sich immer an den Erstausrüster, um die aktuellsten Anweisungen und Informationen zu erhalten.
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vor 2 Monaten
Willibald Fabits
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vor 3 Monaten
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