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Preis-Leistungsverhältnis, aber auch die Lieferzeit von einem Teil welches eigentlich nicht mehr lieferbar ist, sehr gute Erfahrung. :-)
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| Spezifikation | Beschreibung |
|---|---|
| Teilenummer | CM300DU-24F |
| Alternativer Teilenummer | CM300DU24F |
| Hersteller | Mitsubishi |
| Ursprungsland | - |
| Maximaler Kollektorstrom (Tc = 25°C) | 300 Ampere |
| Spitzenkollektorstrom (Tj ≤ 150°C) | 600 Ampere |
| Maximale Kollektorleistung (Tc = 25°C) | 890 Watt |
| Isolationsspannung (Hauptanschluss zu Grundplatte, AC 1 min.) | 2500 Volt |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IC = 300A, VGE = 15V, Tj = 25°C) | 1.8 - 2.4 Volt |
| Gesamte Gate-Ladung (VCC = 600V, IC = 300A, VGE = 15V) | 3300 nC |
| Beschreibung | Der CM300DU-24F ist ein Dual IGBTMOD™ Modul von Mitsubishi, das für Schaltanwendungen konzipiert ist. Jedes Modul besteht aus zwei IGBT-Transistoren in einer Halbbrückenkonfiguration, wobei jeder Transistor eine rückwärts verbundene super-schnelle Freilaufdiode hat. Alle Komponenten und Verbindungen sind von der wärmeableitenden Grundplatte isoliert, was eine vereinfachte Systemmontage und Wärmemanagement ermöglicht. |
Dieses Teil ist ein Trench Gate Design Dual IGBTMOD™ mit einer Stromstärke von 300 Ampere und einer Spannung von 1200 Volt. Es hat eine geringe Antriebsleistung und eine geringe VCE(sat). Jeder Modul besteht aus zwei IGBT-Transistoren in einer Halbbrückenkonfiguration, wobei jeder Transistor eine rückwärts verbundene super-schnelle Freilaufdiode hat.
Dieses Teil ist für verschiedene Anwendungen geeignet, darunter AC-Motorsteuerung, unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS) und batteriebetriebene Versorgungen.
Die absoluten maximalen Bewertungen dieses Teils sind: Sperrschichttemperatur von -40 bis 150°C, Lagertemperatur von -40 bis 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung (G-E SHORT) von 1200 Volt, Gate-Emitter-Spannung (C-E SHORT) von ±20 Volt, Kollektorstrom (Tc = 25°C) von 300 Ampere und Isolationsspannung (Hauptanschluss zu Grundplatte, AC 1 min.) von 2500 Volt.
Die statischen elektrischen Eigenschaften dieses Teils sind: Kollektor-Abschaltstrom ICES bei VCE = VCES, VGE = 0V ist maximal 1mA, Gate-Leckspannung I_GES bei VGE = V_GES, VCE = 0V ist maximal 40µA, Gate-Emitter-Schwellenspannung V_GE(th) bei IC = 30mA, V_CE = 10V liegt zwischen 5 und 7 Volt, und Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V_CE(sat) bei IC = 300A, V_GE = 15V, T_j = 25°C liegt zwischen 1.8 und 2.4 Volt.
Die dynamischen elektrischen Eigenschaften dieses Teils sind: Eingangskapazität C_ies von 120 nf, Ausgangskapazität C_oes von 5.1 nf, Rückwärtsübertragungskapazität C_res von 3 nf, und Gesamt-Gate-Ladung Q_G bei VCC = 600V, I_C = 300A, V_GE = 15V ist 3300 nC.
Die thermischen und mechanischen Eigenschaften dieses Teils sind: Thermischer Widerstand, Verbindung zu Gehäuse R_th(j-c)Q pro IGBT 1/2 Modul, T_c Referenzpunkt pro Umrisszeichnung ist 0.13°C/W, und Kontaktthermischer Widerstand R_th(c-f) pro Modul, Thermische Paste aufgetragen ist 0.010°C/W.
Dieser Inhalt wurde aus mehreren Quellen erstellt. EU Automation übernimmt keine Haftung für die Richtigkeit dieser Informationen. Wenden Sie sich immer an den Erstausrüster, um die aktuellsten Anweisungen und Informationen zu erhalten.
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