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Preis-Leistungsverhältnis, aber auch die Lieferzeit von einem Teil welches eigentlich nicht mehr lieferbar ist, sehr gute Erfahrung. :-)
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| Spezifikation | Beschreibung |
|---|---|
| Teilenummer | CM150DY-24H |
| Alternativer Teilenummer | CM150DY24H |
| Hersteller | Mitsubishi |
| Beschreibung | Mitsubishi, IGBT-Modul, 1200 V, 150 A, 1100 W, Chassis-Montage, 94 x 48 x 29 mm |
| Maximaler Sammlerstrom | 150 Ampere |
| Spitzenkollektorstrom | 300 Ampere |
| Leistungsdissipation | 1100 Watt |
| Sammler-Emitter-Spannung | 1200 Volt |
| Gate-Emitter-Spannung | ±20 Volt |
| Diodenvorwärtsstrom | 150 Ampere |
| Diodenvorwärtsspitzenstrom | 300 Ampere |
| Isolations-Spannung | 2500 Volt |
| Modulgewicht (typisch) | 270 Gramm |
| Montageart | Chassis-Montage |
| Abmessungen | 94 x 48 x 29 mm |
| Anwendungen | AC-Motorsteuerung, Bewegungs-/Servosteuerung, USV, Schweißstromversorgungen, Laserstromversorgungen |
Dieses Teil ist ein IGBT-Modul von Mitsubishi mit einer Spannung von 1200 V, einem Strom von 150 A und einer Leistung von 1100 W. Es ist für die Chassis-Montage konzipiert und hat die Maße 94 x 48 x 29 mm.
Das IGBT-Modul CM150DY-24H ist ideal für Anwendungen wie AC-Motorsteuerung, Bewegungs-/Servosteuerung, unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS), Schweißstromversorgungen und Laserstromversorgungen.
Das IGBT-Modul CM150DY-24H zeichnet sich durch geringe Antriebsleistung, niedrige VCE(sat), diskrete Super-Schnellrücklauf-Freilaufdiode, hohe Betriebsfrequenz (20-25kHz) und isolierte Grundplatte für einfache Wärmeableitung aus.
Die absoluten maximalen Bewertungen für das IGBT-Modul CM150DY-24H sind: Sperrschichttemperatur von -40 bis 150°C, Lagertemperatur von -40 bis 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung (G-E SHORT) von 1200 Volt, Gate-Emitter-Spannung von ±20 Volt, Kollektorstrom von 150 Ampere, Spitzenkollektorstrom von 300 Ampere, Dioden-Vorwärtsstrom von 150 Ampere, Dioden-Vorwärtsspitzenstrom von 300 Ampere und Leistungsverlust von 1100 Watt.
Die thermischen und mechanischen Eigenschaften des IGBT-Moduls CM150DY-24H umfassen: Thermischer Widerstand, Sperrschicht zu Gehäuse pro IGBT von 0,11°C/W, Thermischer Widerstand, Sperrschicht zu Gehäuse pro FWDi von 0,24°C/W und Kontaktthermischer Widerstand pro Modul, Thermische Paste aufgetragen von 0,065°C/W.
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